- Модель продукта SH63N65DM6AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1546
Технические детали
- Тип монтажа 9-PowerSMD
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 424W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 650V
- Толщина внешнего контактного покрытия 53A (Tc)
- Глубина 3344pF @ 100V
- Сопротивление при 25°C 64mOhm @ 23A, 10V
- Тип симистора 80nC @ 10V
- Барьерный тип 4.75V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 9-ACEPACK SMIT
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Инвентаризация: 222
MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Инвентаризация: 0
N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Инвентаризация: 144
