- Модель продукта SH68N65DM6AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 9-PowerSMD
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 379W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 650V
- Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Tc)
- Глубина 5900pF @ 100V
- Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 23A, 10V
- Тип симистора 116nC @ 10V
- Барьерный тип 4.75V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 9-ACEPACK SMIT
Сопутствующие товары
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Инвентаризация: 222
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Инвентаризация: 46
Linear IC's
Инвентаризация: 58
