- Модель продукта G65P06F
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 39W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220F
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 75 nC @ 10 V
- 6477 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Инвентаризация: 48
MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Инвентаризация: 4000
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Инвентаризация: 62
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Инвентаризация: 125
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Инвентаризация: 58000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Инвентаризация: 10000
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Инвентаризация: 51
