- Модель продукта G65P06F
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 39W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220F
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Инвентаризация: 70
MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Инвентаризация: 4000
MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Инвентаризация: 48
MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Инвентаризация: 4000
N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Инвентаризация: 62
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Инвентаризация: 66
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Инвентаризация: 50000
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Инвентаризация: 125
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Инвентаризация: 58000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
