- Модель продукта G300P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 50W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Инвентаризация: 37
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Инвентаризация: 188
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Инвентаризация: 5000
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Инвентаризация: 15000
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Инвентаризация: 125
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Инвентаризация: 58000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
