- Модель продукта G400P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 32A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 110W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 46 nC @ 10 V
- 2598 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Инвентаризация: 36906
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Инвентаризация: 11163
MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Инвентаризация: 48
MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Инвентаризация: 4000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Инвентаризация: 10000
P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 4854
MOSFET P-CH 60V 25A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 10000
P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5
Инвентаризация: 164
MOSFET P-CH 60V 25A TO-220
Инвентаризация: 3000
