- Модель продукта G700P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 100W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 23 nC @ 10 V
- 1428 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
Инвентаризация: 8819
MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
Инвентаризация: 1960
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Инвентаризация: 188
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Инвентаризация: 5000
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Инвентаризация: 653
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Инвентаризация: 3460
