- Модель продукта G700P06D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH 60V 25A DFN5*6-8L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 42W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 1601
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Инвентаризация: 3000
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Инвентаризация: 10677
