- Модель продукта G700P06D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 32W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 25 nC @ 10 V
- 1446 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Инвентаризация: 5496
MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 30000
P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 4854
MOSFET P-CH 60V 25A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 10000
MOSFET, P-CH,-60V,-5A,RD(MAX)<75
Инвентаризация: 2888
MOSFET P-CH 60V 5A SOT-23-6L
Инвентаризация: 12000
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Инвентаризация: 3178
MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Инвентаризация: 44016
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Инвентаризация: 5000
MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
Инвентаризация: 5620
