- Модель продукта G08P06D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6996
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 32W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 25 nC @ 10 V
- 2972 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Инвентаризация: 3782
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Инвентаризация: 235118
IC TRANSLATOR UNIDIR 14WQFN
Инвентаризация: 13815
