- Модель продукта G65P06D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:51500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 104W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V