Инвентаризация:51500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 104W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Инвентаризация: 2500

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

Инвентаризация: 2363

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 2840

MOSFET P-CH 40V 80A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V

Инвентаризация: 10212

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 10880

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Инвентаризация: 798

IC TRANSLATOR UNIDIR 14WQFN

Инвентаризация: 13815

Top