Инвентаризация:4000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 17A, 10V
  • Материал феррулы 2.6W (Ta), 113W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 13.7 nC @ 10 V
  • 3505 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Инвентаризация: 0

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10089

PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF

Инвентаризация: 10441

Top