- Модель продукта SQJA00EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2298
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 48W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 35 nC @ 10 V
- 1700 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Инвентаризация: 26733
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Инвентаризация: 5930
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Инвентаризация: 33670
