Инвентаризация:28233

Технические детали

  • Тип монтажа 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 780mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.4A
  • Глубина 143pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 18.5mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 8.8nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 950mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-TSSOP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP

Инвентаризация: 9115

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

Инвентаризация: 2363

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Инвентаризация: 798

Top