Инвентаризация:5282

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 32A (Ta), 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8-34
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±16V
  • 25 V
  • 29 nC @ 4.5 V
  • 3900 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.

Инвентаризация: 5496

MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L

Инвентаризация: 30000

Top