Инвентаризация:6500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 68mOhm @ 6A, 10V
  • Материал феррулы 2.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 17 nC @ 10 V
  • 879 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 9586

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 1601

IC GATE AND 1CH 2-INP 6SON

Инвентаризация: 7415

MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V

Инвентаризация: 5620

Top