Инвентаризация:7120

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 68mOhm @ 8A, 10V
  • Материал феррулы 33.8W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PPAK (3.1x3.05)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 23 nC @ 10 V
  • 1260 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 9586

MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Инвентаризация: 16587

P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,

Инвентаризация: 3523

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 1601

TRENCH 40<-<100V

Инвентаризация: 4435

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 5000

PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3

Инвентаризация: 0

Top