Инвентаризация:5023

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 8A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 49 nC @ 10 V
  • 2719 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO

Инвентаризация: 13831

MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO

Инвентаризация: 5705

MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26

Инвентаризация: 68808

MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Инвентаризация: 16587

P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 1704

MOSFET P-CH 60V 12A TO-252

Инвентаризация: 60000

MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V

Инвентаризация: 5620

Top