- Модель продукта G12P06K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 75mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 27W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 23 nC @ 10 V
- 1108 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 40A TO252
Инвентаризация: 22933
P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Инвентаризация: 11251
MOSFET P-CH 60V 5A SOT-23-3L
Инвентаризация: 60000
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Инвентаризация: 4550
MOSFET P-CH 60V 4.5A SOT-223
Инвентаризация: 7500
P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Инвентаризация: 1760
MOSFET P-CH 60V 60A TO-252
Инвентаризация: 40000
P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Инвентаризация: 3523
MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Инвентаризация: 2033
MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Инвентаризация: 10000
