- Модель продукта G1K1P06HH
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 4.5A SOT-223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 3.1W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 1704
MOSFET P-CH 60V 12A TO-252
Инвентаризация: 60000
P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 1956
MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6L
Инвентаризация: 15000
MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Инвентаризация: 2033
MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Инвентаризация: 10000
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Инвентаризация: 10639
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Инвентаризация: 3256
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Инвентаризация: 4892
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Инвентаризация: 5798
