- Модель продукта G05P06L
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:12751
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 2.6W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 37 nC @ 10 V
- 1366 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Инвентаризация: 2674
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Инвентаризация: 28388
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Инвентаризация: 100635
