Инвентаризация:15331

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 1.2W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 53.1 nC @ 10 V
  • 2569 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

Инвентаризация: 412644

MOSFET P-CH 8-SOIC

Инвентаризация: 21931

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

Инвентаризация: 150505

MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Инвентаризация: 53344

MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

Инвентаризация: 46929

P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,

Инвентаризация: 3523

P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH

Инвентаризация: 3890

TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

Инвентаризация: 13992

Top