Инвентаризация:23431

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.44A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 3.44A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-DSO-8-6
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 30 nC @ 10 V
  • 875 pF @ 25 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

Инвентаризация: 48564

MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB

Инвентаризация: 33287

MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3

Инвентаризация: 0

Top