Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1Ohm @ 2.8A, 10V
  • Материал феррулы 38W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 380µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 12 nC @ 10 V
  • 319 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON

Инвентаризация: 14176

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Инвентаризация: 82458

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

Инвентаризация: 8358

TRENCH >=100V

Инвентаризация: 3471

DIODE ZENER 4.3V 1W DO213AB

Инвентаризация: 11773

Top