- Модель продукта GT700P08S
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5390
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 72mOhm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 3W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 75 nC @ 10 V
- 1624 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Инвентаризация: 13831
P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~
Инвентаризация: 3855
MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Инвентаризация: 4000
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3842
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Инвентаризация: 46297
