- Модель продукта SQJ479EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 32A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 68W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 150 nC @ 10 V
- 4500 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Инвентаризация: 39003
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Инвентаризация: 10546
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Инвентаризация: 22296
IC INVERTER 1CH 1-INP SOT23-5
Инвентаризация: 9697
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Инвентаризация: 13686
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Инвентаризация: 33911
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Инвентаризация: 8141
