Инвентаризация:40503

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 50 nC @ 10 V
  • 2500 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC

Инвентаризация: 9731

MOSFET N-CH DFN3333

Инвентаризация: 7798

MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP

Инвентаризация: 1169

MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Инвентаризация: 46297

Top