Инвентаризация:11231

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 12A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.6V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 35 nC @ 10 V
  • 1725 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC

Инвентаризация: 39003

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3

Инвентаризация: 313879

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

Инвентаризация: 5902

MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3

Инвентаризация: 148660

MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Инвентаризация: 13763

MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC

Инвентаризация: 21109

Top