Инвентаризация:22609

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 29 nC @ 10 V
  • 1330 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Инвентаризация: 314112

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO

Инвентаризация: 27753

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A MBS

Инвентаризация: 61192

MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN

Инвентаризация: 425

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Инвентаризация: 34421

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO

Инвентаризация: 1832

PCB TERMINAL BLOCKS RISING CLAMP

Инвентаризация: 379

Top