Инвентаризация:29253

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 3.2A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 56 nC @ 10 V
  • 1720 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

Инвентаризация: 18009

Top