Инвентаризация:414144

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 6.2A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 55 nC @ 10 V
  • 2900 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 8SOIC

Инвентаризация: 47272

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Инвентаризация: 20216

DIODE ZENER 15V 1W DO214AC

Инвентаризация: 105505

Top