Инвентаризация:48772

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 4.5A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 19.4 nC @ 10 V
  • 1030 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN

Инвентаризация: 12507

MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Инвентаризация: 53344

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Инвентаризация: 20105

MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC

Инвентаризация: 12512

Top