Инвентаризация:14007

Технические детали

  • Тип монтажа 12-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14.8A (Ta)
  • Глубина 864pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 8.4nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение V-DFN5045-12

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

Инвентаризация: 3

MOSFET N-CH 80V 74A TDSON

Инвентаризация: 31058

MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN

Инвентаризация: 2930

MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP

Инвентаризация: 15319

MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

Инвентаризация: 2127

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 355

Top