- Модель продукта FDMQ8403
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа 12-WDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.9W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.1A
- Глубина 215pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 3A, 10V
- Тип симистора 5nC @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 12-MLP (5x4.5)
Сопутствующие товары
TRANS NPN 40V 0.8A TO18
Инвентаризация: 5918
MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Инвентаризация: 12507
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Инвентаризация: 2779
TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Инвентаризация: 11387
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
Инвентаризация: 74099
IC GATE XOR 4CH 2-INP 14DIP
Инвентаризация: 253
