- Модель продукта FDMQ8203
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:4279
Технические детали
- Тип монтажа 12-WDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.5W
- Внутренняя отделка контактов 100V, 80V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A, 2.6A
- Глубина 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
- Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 3A, 10V
- Тип симистора 5nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 12-MLP (5x4.5)
Сопутствующие товары
MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Инвентаризация: 8665
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Инвентаризация: 39597
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Инвентаризация: 15319
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Инвентаризация: 19067
DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
Инвентаризация: 68168
