Инвентаризация:10165

Технические детали

  • Тип монтажа 12-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.1W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A, 2.3A
  • Глубина 1167pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 160mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 9.7nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение V-DFN5045-12

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 10

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 39597

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 2269

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

Инвентаризация: 2779

MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8

Инвентаризация: 2635

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

Инвентаризация: 39797

Top