Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.5W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 40V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
• Глубина 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
• Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
• Тип симистора 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO