Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 870mW
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 3.98A, 3.36A
• Глубина 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 5A, 10V
• Тип симистора 9nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO