Инвентаризация:1894

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.5W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A, 4.2A
  • Глубина 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET SO8 N+P 30V 0.025OHM 150C

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 75349

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 39597

MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-

Инвентаризация: 2868

MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-

Инвентаризация: 3000

Top