- Модель продукта DI006H03SQ
- Бренд Diotec Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET SO8 N+P 30V 0.025OHM 150C
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.5W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta), 4.2A (Ta)
- Глубина 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
- Тип симистора 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101