- Модель продукта G300C03L6
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.4W (Ta), 500mW (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.6A, 4.2A (Tc)
- Глубина 547pF @ 15 V, 693pF @ -15 V
- Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 3A, 10V, 55mOhm @ 3A, 10V
- Тип симистора 16nC @ 10 V, 8.5 nC @ 4.5 V
- Барьерный тип 1.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-6L Dual
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Инвентаризация: 19864
MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
Инвентаризация: 2381
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Инвентаризация: 58448
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Инвентаризация: 128745
MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Инвентаризация: 2158
MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Инвентаризация: 5000
MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
Инвентаризация: 119252
