- Модель продукта G180C06Y
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:6500
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Глубина 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
- Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
- Тип симистора 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
- Барьерный тип 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252-4