- Модель продукта G180C06Y
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel, Common Drain
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 69W (Tc), 115W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc), 60A (Tc)
- Глубина 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
- Барьерный тип 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252-4
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Инвентаризация: 37181
MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Инвентаризация: 7212
MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
Инвентаризация: 2925
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Инвентаризация: 42
MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Инвентаризация: 2158
MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Инвентаризация: 5000
MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-
Инвентаризация: 2868
MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-
Инвентаризация: 3000
MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Инвентаризация: 4533
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
Инвентаризация: 5100
