Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel Complementary
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.5W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 40V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
• Глубина 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
• Тип симистора 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP