Инвентаризация:3769

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.5W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
  • Глубина 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
  • Тип симистора 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DHVQFN

Инвентаризация: 5673

MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN

Инвентаризация: 8665

MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 75349

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 39597

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP

Инвентаризация: 26733

Top