Инвентаризация:20567

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.6A (Ta), 35A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 9.6A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 46 nC @ 10 V
  • 2715 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56

Инвентаризация: 2750

MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 9674

MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN

Инвентаризация: 3189

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

Инвентаризация: 16905

Top