- Модель продукта FDMS86250
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:11174
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A (Ta), 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 6.7A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 96W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 36 nC @ 10 V
- 2330 pF @ 75 V