Инвентаризация:11174

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A (Ta), 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 6.7A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 36 nC @ 10 V
  • 2330 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

Инвентаризация: 19067

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

Инвентаризация: 9387

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

Инвентаризация: 2173

MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN

Инвентаризация: 8242

MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D

Инвентаризация: 1490

Top