Инвентаризация:2990

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 53W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta)
  • Глубина 2152pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 18.5nC @ 5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение LFPAK56D

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 9674

MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D

Инвентаризация: 1300

Top