Инвентаризация:2800

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 53W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21.4A (Ta)
  • Глубина 1533pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 37.6mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 25.9nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение LFPAK56D

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

Инвентаризация: 1571

MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D

Инвентаризация: 1590

MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D

Инвентаризация: 1490

Top