- Модель продукта FDS86267P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3673
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 255mOhm @ 2.2A, 10V
- Материал феррулы 1W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±25V
- 150 V
- 16 nC @ 10 V
- 1130 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Инвентаризация: 11139
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
Инвентаризация: 3683
MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Инвентаризация: 28000
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Инвентаризация: 6028
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Инвентаризация: 31459
